Transistor Mosfet Potencia IRF840 500V 8A TO-220 Canal N

MOSFET . Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM)._x000D_\n_x000D_\nTipo de FET Canal N_x000D_\nTecnología MOSFET (óxido de metal)_x000D_\nVoltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V_x000D_\nCorriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A (Tc)_x000D_\nVoltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) 10 V_x000D_\nRds activado (máx.) @ Id, Vgs 850 mOhmios a 4,8 A, 10 V_x000D_\nVgs (th) (Max) @ Id 4 V a 250 µA_x000D_\nCarga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC a 10 V_x000D_\nVgs (máx.) ± 20 V_x000D_\nCapacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1,3 pF a 25 V_x000D_\n_x000D_\nLA COMPRA INCLUYE:_x000D_\n_x000D_\n1X TRANSISTOR MOSFET IRF840 500V 8A TO-220